在選擇晶振的之前，首先需要了晶振廠家生產(chǎn)的晶振詳細(xì)技術(shù)參數(shù)，精準(zhǔn)地了解了這些才能找到與自己電路相匹配的晶振，那關(guān)于晶振的參數(shù)都需要了解哪些呢？比如說(shuō)晶振的一般頻率、封裝、負(fù)載電容、頻率頻差，工作溫度、電阻等這些。

現(xiàn)在我們?cè)敿?xì)了解晶振負(fù)載電容，負(fù)載電容CL 是 Load Capacitance縮寫。負(fù)載電容就是在振蕩電路中晶體兩腳之間所有的等效電容量之和。在通常情況下，晶振廠家都會(huì)在規(guī)格書中和晶振包裝標(biāo)簽給出推薦的負(fù)載電容。具體使用過(guò)程中購(gòu)買者還需要與晶振廠家溝通，在晶振廠家的建議下選擇合適的電容。

同時(shí)也可以用公式來(lái)計(jì)算晶振所需負(fù)載電容，公式為：CL=((C1 x C2) / (C1 + C2)) + Cs，其中C1、C2為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容（外掛電容），Cs為晶振兩個(gè)管腳之間的寄生電容（又名靜態(tài)電容）,一般是3~5pF。

比如電路中的兩個(gè)外掛電容為32PF時(shí)，對(duì)應(yīng)的晶振負(fù)載電容為CL=(32 x32/32+32)+4~7=20~23PF,當(dāng)知道晶振的負(fù)載電容時(shí)，我們也可以算出電路中的兩個(gè)外掛電容。

給晶振找到匹配負(fù)載電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或者是接近負(fù)載電容，負(fù)載電容指的就是電路中連接晶體兩端的外界有效電容，應(yīng)用的時(shí)候一般都會(huì)給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率，這個(gè)時(shí)候電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，如果增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降，反之減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高，所以給晶振選擇相匹配的電容是很關(guān)鍵。